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CMRDM3575 TR /MOSFET 20V N-Ch P-Ch FET 8.0Vgs 125mW
CMRDM3575 TR的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-963

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:160 mA, 140 mA

Rds On-漏源导通电阻:1.5 Ohms, 4 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV, 1 V

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:458 pC, 500 pC

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:125 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:ATTOmini

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:CMRDM

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:Central Semiconductor

正向跨导 - 最小值:1.3 S, 140 mS

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:8000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:85 ns, 100 ns

典型接通延迟时间:25 ns, 35 ns

零件号别名:CMRDM3575 PBFREE TR

供应商CMRDM3575 TR
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CMRDM3575 TRCentral SemiconductorMOSFET 20V N-Ch P-Ch FET 8.0Vgs 125mW1:¥3.9211
10:¥3.3335
100:¥2.1018
1,000:¥1.5707
8,000:¥1.2543
24,000:查看